FDS6679AZ

FDS6679AZ. C (pol.): 2890pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 65A. DI (T=100°C): n/a. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): n/a. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.