FDS6900AS

FDS6900AS. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): 8.2A. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6900AS. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF/600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.