Transistores

C (pol.): 1802pF. Custo): 415pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1uA. Marcação na caixa: P3020LS. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.0116 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Diversos: Velocidade de comutação rápida, baixo vazamento de entrada/saída. Função: Baixa resistência, baixa tensão limite de porta, baixa capacitância de entrada. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 14. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Habitação (conforme ficha técnica): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 14

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistor Digital (Resistor de Bias Integrado). Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 14. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 14

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Transistores digitais (resistores integrados). Corrente do coletor: 0.1A. Marcação na caixa: 15. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 15. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SC-72. Habitação (conforme ficha técnica): SC-72 ( D143 ). Tipo de transistor: PNP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V

Resistor B: 4.7k Ohms. Resistor BE: 47k Ohms. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor equipado com resistor PNP. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD 19. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 10k Ohms. Resistor BE: 10k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: DTR.. Corrente do coletor: 50mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 24. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.2W. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 24. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Resistor B: 4.7k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 200. Corrente do coletor: 100mA. Nota: serigrafia/código SMD 33. Marcação na caixa: *33, P33, t33, w33. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Data de produção: 2014/49. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 100mA. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 18. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Vebo: 10V

Resistor B: 47k Ohms. Resistor BE: 47k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 0.03A. Marcação na caixa: 26. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Spec info: serigrafia/código SMD 26. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Corrente do coletor: 0.1A. Potência: 0.3W. Frequência máxima: 250MHz. Carcaça: SC-72. Resistor BE: 47k+22k Ohms

Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 900pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 155 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementar (par) ECW20P20. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 1850pF. Custo): 850pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 105 ns. Td(ligado): 150 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementar (par) ECW20N20. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10P20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10N20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Módulo de transistor Power Darlington NPN. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 300. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Nota: Parafusado. Número de terminais: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 225W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tipo de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.25V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça: ISOTOP. Configuração: Parafusado. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: ESM6045DV. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 84A. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 1148pF. Custo): 671pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 33A. Id(im): 33A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 119 ns. Td(ligado): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 11A. Potência: 36W. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220F. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 650V

C (pol.): 1495pF. Custo): 235pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 490 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(im): 66A. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FDA16N50. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 0.31 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga baixa do portão. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2280pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FDA24N40F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3P. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FDA50N50. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 220 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 460 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 3090pF. Custo): 630pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, AC/DC Converter. Id(im): 236A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 392W. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3570pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, AC/DC Converter. Id(im): 276A. DI (T=100°C): 44.2A. DI (T=25°C): 69A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 480W. On-resistência Rds On: 0.034 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 95 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 100A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.0087 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS