FDA24N40F

FDA24N40F. C (pol.): 2280pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FDA24N40F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 400V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.