FDA16N50-F109

FDA16N50-F109. C (pol.): 1495pF. Custo): 235pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 490 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(im): 66A. DI (T=100°C): 9.9A. DI (T=25°C): 16.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FDA16N50. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. On-resistência Rds On: 0.31 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET, DMOS technology. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga baixa do portão. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.