Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FDA59N25

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FDA59N25. C (pol.): 3090pF. Custo): 630pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, AC/DC Converter. Id(im): 236A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 392W. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 250V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.

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C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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