Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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IRFB4227

IRFB4227
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IRFB4227. C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. On-resistência Rds On: 19.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.

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