Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUZ102S

BUZ102S
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BUZ102S. C (pol.): 1220pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): P-TO263-3-2. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 1970pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 68 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 210A. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 64A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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