Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BYW29-200

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BYW29-200. Corrente direta (AV): 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Material semicondutor: silício. Função: SWITCHMODE Power Rectifiers. RM (máx.): 600uA. RM (min): 5uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.85V. Número de terminais: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.

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Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 88A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (máx, 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS
BYW29EX-200
Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 88A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Condicionamento: tubo de plástico. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Material semicondutor: silício. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tensão limite Vf (máx.): 1.3V. Tensão direta Vf (min): 0.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Função: diodos retificadores ultrarrápidos (máx, 25ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS
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