IRF6215SPBF

IRF6215SPBF. C (pol.): 860pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 150V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 05:25.