IRFR5305

IRFR5305. C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFR5305. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 14:25.