ECW20N20

ECW20N20. Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 900pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 155 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementar (par) ECW20P20. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.