Transistores

Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Dissipação máxima Ptot [W]: 175W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: S. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX85G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: S-L. Corrente do coletor: 0.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Resistor B: Transistor de Potência . BE diodo: NPN. C (pol.): 1000V. Custo): 0.5A. Diodo CE: 40W. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: sim. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-82. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX87P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Material semicondutor: silício. FT: 25 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 20. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Corrente do coletor: 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1

Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 280V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1220pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): P-TO263-3-2. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 1500pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 42A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 50V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 39A. Idss (máx.): 39A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 40m Ohms. Tecnologia: V-MOS S/L. Tensão Vds(máx.): 50V. Nota: 250/500ns. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ22. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 300 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1850pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 2.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. Tecnologia: V-MOS L. Tensão Vds(máx.): 1000V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 330pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ73LH. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 500V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 400V. Nota: <57/115ns. Quantidade por caixa: 1

RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ76A. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: <50/105ns. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Quantidade por caixa: 1

C (pol.): 460pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(im): 11.5A. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Quantidade por caixa: 1

Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão Vds(máx.): 800V. Nota: <100/220ns. Quantidade por caixa: 1