BUZ72A
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.74€ | 2.14€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 2.03€ |
| 10 - 24 | 1.57€ | 1.93€ |
| 25 - 49 | 1.48€ | 1.82€ |
| 50 - 99 | 1.44€ | 1.77€ |
| 100 - 249 | 1.41€ | 1.73€ |
| 250+ | 1.34€ | 1.65€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.74€ | 2.14€ |
| 5 - 9 | 1.65€ | 2.03€ |
| 10 - 24 | 1.57€ | 1.93€ |
| 25 - 49 | 1.48€ | 1.82€ |
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BUZ72A. C (pol.): 330pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.
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C (pol.): 345pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 51.2A. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: sim. Peso: 2.07g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Função: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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