IRF520

IRF520. C (pol.): 360pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37A. DI (T=100°C): 6.5A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 15:25.