Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STD10P6F6

STD10P6F6
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STD10P6F6. C (pol.): 340pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Id(im): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10P6F6. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 64 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.

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C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Função: ID pulse 36A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS
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