Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUZ80AF

BUZ80AF
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BUZ80AF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão Vds(máx.): 800V. Nota: <100/220ns. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

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C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS
STP4NB80FP
C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS
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