Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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STP4NB80FP

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STP4NB80FP. C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.

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C (pol.): 900pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100nA. IDss (min): 10nA. Marcação na caixa: K2645. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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