BUZ77B

BUZ77B. C (pol.): 460pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(im): 11.5A. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.