BUZ12
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 4.06€ |
| 5 - 9 | 3.14€ | 3.86€ |
| 10 - 24 | 2.97€ | 3.65€ |
| 25 - 49 | 2.81€ | 3.46€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.37€ |
| 100 - 249 | 2.67€ | 3.28€ |
| 250+ | 2.58€ | 3.17€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.30€ | 4.06€ |
| 5 - 9 | 3.14€ | 3.86€ |
| 10 - 24 | 2.97€ | 3.65€ |
| 25 - 49 | 2.81€ | 3.46€ |
| 50 - 99 | 2.74€ | 3.37€ |
| 100 - 249 | 2.67€ | 3.28€ |
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BUZ12. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 42A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Tecnologia: V-MOS. Tensão Vds(máx.): 50V. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.
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C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener ...
C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. On-resistência Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
C (pol.): 1470pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 63us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 49A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. On-resistência Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS
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