Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

BUZ11

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BUZ11. C (pol.): 1500pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 04:25.

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