IRF540N

IRF540N. C (pol.): 1960pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 115 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.