IRF540NS

IRF540NS. C (pol.): 1400pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRF540NSPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 44 ns. Td(ligado): 8.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 19:25.