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Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A
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Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V - BUW12A. Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Produto original do fabricante Inchange Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 16:25.

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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V
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