Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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BUW12A

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BUW12A. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Corrente do coletor: 10A. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.

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RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
BUV48A
RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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