Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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HFA08TB60

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HFA08TB60. Corrente direta (AV): 8A. IFSM: 60A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 18 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcação na caixa: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Spec info: IFRM 24A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.4V. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 10:25.

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HFA15TB60
Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 50A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 400uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: HFA15TB60. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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Corrente direta (AV): 15A. IFSM: 50A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 42 ns. Material semicondutor: silício. Função: Ultrafast Soft Recovery Diode. RM (máx.): 400uA. RM (min): 1uA. Marcação na caixa: HFA15TB60. Número de terminais: 2. RoHS: sim. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 2V. Tensão direta Vf (min): 1.3V
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Corrente direta (AV): 14A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: 100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.5V
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Corrente direta (AV): 14A. IFSM: 100A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Estrutura dielétrica: Ânodo-Cátodo. Diodo Trr (mín.): 35 ns. Material semicondutor: silício. Função: ‘Recuperação Rápida’. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: 100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Diodo Epitaxial . Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão limite Vf (máx.): 1.7V. Tensão direta Vf (min): 1.5V
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