Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

MMBT4403LT1G

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MMBT4403LT1G. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 02:25.

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