Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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PMBT4403

PMBT4403
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1 - 1 1.04€ 1.28€
2 - 2 0.99€ 1.22€
3 - 4 0.93€ 1.14€
5 - 9 0.88€ 1.08€
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Conjunto de 10

PMBT4403. Custo): 29pF. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 600mA. Ic(pulso): 800mA. Marcação na caixa: *T2, P2T, T2T, W2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD P2T, T2T, W2T, transistor complementar (par) PMBT4401. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 06:25.

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Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondu...
MMBT4403LT1G
Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
MMBT4403LT1G
Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 30. Corrente do coletor: 0.6A. Marcação na caixa: 2T. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 30 ns. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo de transistor: PNP. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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