BUW13A
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.65€ | 13.10€ |
| 2 - 2 | 10.12€ | 12.45€ |
| 3 - 4 | 9.59€ | 11.80€ |
| 5 - 9 | 9.05€ | 11.13€ |
| 10 - 14 | 8.84€ | 10.87€ |
| 15 - 19 | 8.63€ | 10.61€ |
| 20+ | 8.31€ | 10.22€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.65€ | 13.10€ |
| 2 - 2 | 10.12€ | 12.45€ |
| 3 - 4 | 9.59€ | 11.80€ |
| 5 - 9 | 9.05€ | 11.13€ |
| 10 - 14 | 8.84€ | 10.87€ |
| 15 - 19 | 8.63€ | 10.61€ |
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BUW13A. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Corrente do coletor: 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: TO-3PN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.
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RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
RoHS: sim. Carcaça: TO-247. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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