FDS6675BZ

FDS6675BZ. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Marcação do fabricante: Faixa VGS estendida (-25V) para aplicações operadas por bateria. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.