Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.10€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.99€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.89€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.78€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.75€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.70€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.61€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.71€ | 2.10€ |
5 - 9 | 1.62€ | 1.99€ |
10 - 24 | 1.54€ | 1.89€ |
25 - 49 | 1.45€ | 1.78€ |
50 - 99 | 1.42€ | 1.75€ |
100 - 249 | 1.38€ | 1.70€ |
250 - 2503 | 1.31€ | 1.61€ |
FDS8958B. C (pol.): 760pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N-P. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Quantidade por caixa: 2. Função: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 03:25.
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