Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

FDPF12N50NZ

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FDPF12N50NZ. C (pol.): 945pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 46A. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11.5A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.46 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 500V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Carga de porta baixa (típico 23nC), Low Crss 14pF. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 13:25.

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