FDS6690A

FDS6690A. C (pol.): 1205pF. Custo): 290pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 9.8m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: controle de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 17:25.