FDS8884

FDS8884. C (pol.): 475pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 19m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 13/01/2025, 17:25.