FDS4435BZ

FDS4435BZ. C (pol.): 1385pF. Custo): 275pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controlador de carga da bateria. Id(im): 50A. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Spec info: Nível de proteção ESD HBM de 3,8kV. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.