Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

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FDP3632. C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 08:25.

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C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns...
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C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 100V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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