Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109. Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA9N90C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Peso: 4.7g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 19:25.