Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQA9N90C-F109

FQA9N90C-F109
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FQA9N90C-F109. C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA9N90C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: sim. Peso: 4.7g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 900V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 13:25.

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RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA13N80. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 320 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1
FQA13N80-F109
RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA13N80. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 320 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1
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