FQA13N80-F109

FQA13N80-F109. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA13N80. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 320 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 20:25.