Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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FQPF19N20

FQPF19N20
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FQPF19N20. C (pol.): 1220pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.

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FQPF19N20C

FQPF19N20C

C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOS...
FQPF19N20C
C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 135 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
FQPF19N20C
C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 135 ns. Td(ligado): 15 ns. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 200V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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