Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12
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Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V - FS10KM-12. Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: sim. Id(im): 30A. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 11:25.

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2SK2843
Transistor de canal N, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( 2-10R1B ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2040pF. Custo): 230pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Proteção GS: sim. Id(im): 40A. IDss (min): na. Marcação na caixa: K2843. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 190 ns. Td(ligado): 58 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, tipo MOS (TT.MOSV). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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