FQPF85N06

FQPF85N06. C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 212A. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET MOSFET. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 05:25.