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HGTG20N60B3D

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HGTG20N60B3D. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marcação na caixa: G20N60B3D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 10:25.

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