G60N04K

G60N04K. C (pol.): 1800pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 200A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): n/a. Marcação na caixa: G60N04K. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 40V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Função: comutação de energia, conversores DC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 02:25.