HGTG20N60B3

HGTG20N60B3. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Carcaça (padrão JEDEC): UFS Series IGBT. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HG20N60B3. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 600V. Corrente do coletor Ic [A]: 40A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 220 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6V. Dissipação máxima Ptot [W]: 165W. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Corrente máxima do coletor (A): 160A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 16/01/2025, 10:25.