Transistores

C (pol.): 2589pF. Custo): 77pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: H30R1202. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 390W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 792 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Função: Cozinha indutiva, aplicações de comutação suave. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1810pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: H30PR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 310 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.95V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1350V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Função: Cozinha indutiva, fornos de microondas. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 600V. Corrente do coletor: 40A. Potência: 305W. Carcaça: TO-247AC

Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 30A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Equivalentes: Samsung--DC13-00253A. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 27.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 800 ns. Td(ligado): 560 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.05V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Spec info: Ic 15A @ 25°C, 10A @ 80°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 600V. Corrente do coletor: 24A. Potência: 110W. Carcaça: TO-220AB

C (pol.): 860pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Função: IGBT de alta velocidade em tecnologia NPT. Corrente do coletor: 15A. Ic(pulso): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Marcação na caixa: K15T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 188 ns. Td(ligado): 17 ns. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-3-1. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.05V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão da fonte de drenagem: 1200V. Corrente do coletor: 50A. Potência: 326W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim

RoHS: sim. Família de componentes: Transistor IGBT com diodo de roda livre de alta velocidade integrado . Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: K25T1202. Tensão coletor-emissor Uce [V]: 1.2 kV. Corrente do coletor Ic [A]: 25A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 27 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 265 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 6.4V. Dissipação máxima Ptot [W]: 349W. Corrente máxima do coletor (A): 100A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

C (pol.): 1860pF. Custo): 96pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente do coletor: 50A. Ic(pulso): 75A. Ic(T=100°C): 25A. Marcação na caixa: K25T120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 560 ns. Td(ligado): 50 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.2V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 1630pF. Custo): 107pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 117 ns. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Marcação na caixa: K30H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 187W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 207 ns. Td(ligado): 21 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 2330pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: K40H1203. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 483W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 290 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247N. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Tipo de transistor: Transistor IGBT. Tensão coletor-emissor: 1200V. Corrente do coletor: 82A. Potência: 428W. Carcaça: TO-247AC. Diodo embutido: sim

C (pol.): 116pF. Custo): 2960pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tensão limite do diodo: 1.65V. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcação na caixa: K50H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 235 ns. Td(ligado): 23 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 3140pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 143 ns. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Marcação na caixa: K50T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 299 ns. Td(ligado): 26 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

C (pol.): 4620pF. Custo): 288pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 182 ns. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Marcação na caixa: K75T60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 330 ns. Td(ligado): 33 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.9V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8

C (pol.): 440pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 19A. Id(im): 19A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 6R600E6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 18A. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 8R1K0CE. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. On-resistência Rds On: 2.1M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: OptiMOS Power. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO263-7. Temperatura operacional: -55...+175°C

RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 128 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

C (pol.): 7500pF. Custo): 1900pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 1uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 4N03L02. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 62 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 30 v. Vgs(th) máx.: 2.2V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 3400pF. Custo): 880pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0607. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. On-resistência Rds On: 5.6M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS

C (pol.): 2360pF. Custo): 610pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0609. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. On-resistência Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

C (pol.): 8000pF. Custo): 1700pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(im): 400A. DI (T=100°C): 100A. DI (T=25°C): 100A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 034N06N. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. On-resistência Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 63 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO252-3 ( DPAK ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 60V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS