IKW40N120H3

IKW40N120H3. C (pol.): 2330pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Função: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marcação na caixa: K40H1203. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 483W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 290 ns. Td(ligado): 30 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247N. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.05V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 16:25.