IPA60R600E6

IPA60R600E6. C (pol.): 440pF. Custo): 30pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 19A. Id(im): 19A. DI (T=100°C): 4.6A. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 10uA. IDss (min): 1uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 6R600E6. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 650V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 2.5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.