IPB020N10N5LFATMA1

IPB020N10N5LFATMA1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60.4k Ohms. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohms @ 100A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 128 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 313W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.