IPB80N06S2-08

IPB80N06S2-08. C (pol.): 2860pF. Custo): 740pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Qualificação automotiva AEC Q101 . Id(im): 320A. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Marcação na caixa: 2N0608. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 215W. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: transistor MOSFET . Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão Vds(máx.): 55V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Spec info: resistência ultrabaixa . Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 17/01/2025, 23:25.