IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2. C (pol.): 785pF. Custo): 33pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 520 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 18A. Id(im): 18A. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 50uA. IDss (min): 10uA. Nota: caixa completamente isolada (2500VAC/60s). Marcação na caixa: 8R1K0CE. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. On-resistência Rds On: 0.83 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP-3. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão Vds(máx.): 800V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: -20V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 18/01/2025, 00:25.