IKW50N60H3

IKW50N60H3. C (pol.): 116pF. Custo): 2960pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tensão limite do diodo: 1.65V. Função: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 200A. Ic(T=100°C): 50A. Marcação na caixa: K50H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 333W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 235 ns. Td(ligado): 23 ns. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 12/01/2025, 22:25.